收藏本站
IDT709279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Preliminary
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Bank Select Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC t HC
t SC t HC
t CD2
t CD2
(3)
t CKHZ
t CD2
DATA OUT(B1)
Q 0
t DC
Q 1
t DC
t CKLZ
(3)
Q 3
t CKHZ (3)
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC t HC
t CD2
t CKHZ (3)
t CD2
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(3)
Q 2
t CKLZ (3)
Q 4
3243 drw 09
Timing Waveform of a Bank Select Flow-Through Read (6)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC
t HC
t SC
t HC
t CD1
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CD1
DATA OUT(B1)
D 0
t DC
D 1
t DC
t CKLZ
(1)
D 3
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
D 5
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CKHZ
(1)
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(1)
D 2
t CKLZ
(1)
D 4
NOTES:
3243 drw 09a
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one IDT709279/69 for this waveform, and are setup for depth expansion in this
example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. UB , LB , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W , CNTEN , and CNTRST = V IH .
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and CNTRST = V IH .
5. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
6. If t CCS < maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t CWDD .
If t CCS > maximum specified, then data from right port READ is not valid until t CCS + t CD1 . t CWDD does not apply in this case.
10
6.42
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT709289L9PFI IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
IDT709359L7BFI IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
IDT709379L7PFG IC SRAM 576KBIT 7NS 100TQFP
IDT70P257L55BYGI IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
IDT70P258L55BYI IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
IDT70T3339S200BCG IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA
IDT70T3509MS133BP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA
IDT70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
相关代理商/技术参数
IDT709279S12 制造商:GEFANUC 功能描述:
IDT709279S12PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709279S12PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709279S15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709279S15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709279S9PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709279S9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709289L12PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8